科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片
科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片，且現(xiàn)已可開始訂購(gòu)。
科銳指出，該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2�？其J稱這一新型低基面位錯(cuò)材料的推出進(jìn)一步體現(xiàn)了科銳長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)碳化硅材料技術(shù)的不斷投入和創(chuàng)新。
碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料，被廣泛地應(yīng)用在照明、功率器件和通訊器件產(chǎn)品的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二級(jí)管(LED)、功率轉(zhuǎn)換器件以及無(wú)線通訊用射頻功率晶體管等。
科銳功率器件與射頻(RF)首席技術(shù)官John Palmour表示：“碳化硅雙極型(Bipolar)器件的發(fā)展長(zhǎng)期以來(lái)受制于基面位錯(cuò)引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯(cuò)材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩(wěn)定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業(yè)化的阻礙。”
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