WO3は全固體エレクトロクロミック素子を生産する重要な原料であり、その中で三酸化タングステンはまず三酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜を形成する。WO3薄膜の変色は価間電荷移動(dòng)モデルで説明できる。ITAの基本理論に基づいて、FanghnanはFanghnanモデルまたは二重注入/抽出モデルとも呼ばれる価間電荷移動(dòng)モデルを提案した。彼らは次のように考えています。
詳細(xì)については、
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
電場(chǎng)の作用下で、H＋及びLi＋のようなカチオンM＋及び電子e?が共注入される。電子e-は一定のW5+イオンに閉じ込められ、5dチャネルに入る。電気中性を維持するためには、M+もこの領(lǐng)域に存在し、タングステン青銅化合物MxWO3を形成しなければならない。方程式は次のとおりです。
WO3+x（M++e-）=MxWO3
ここで、M+=H+、Li+、Na+;e-は電子です。電子と小さなイオンが注入された透明な酸化タングステン薄膜にタングステン青銅化合物を形成すると、薄膜は青色になる。イオンと電子が抽出されると、フィルムは元の透明な狀態(tài)に戻ります。この反応では、W6+のいくつかがW5+に還元されることが分かった。W5＋の形成はエレクトロクロミック効果を発生させ、その中でイオンと電子の注入は重要な役割を果たすと考えられている。したがって、より正確な反応式は以下の通りである：
WO3+x（M++e-）=MxW（1-x）^6+Wx^5+O3
