熱遮蔽膜などの熱遮蔽材料の製造に用いられるセシウムタングステン酸化物は、主にCs0.33WO3またはCs 0.32 WO 3ナノ粉末である。これらのナノ粒子は優(yōu)れた近赤外（NIR）遮蔽特性を有する。近赤外線遮蔽性能は熱遮蔽膜にとって重要であることを知っています。では、電子ビーム蒸著Cs0.33WO3薄膜の近赤外遮蔽性能にアニーリングが與える影響を知っていますか。
詳細については、次のサイトを參照してください。
http://cesium-tungsten-bronze.com/japanese/index.html
一部の専門家は電子ビーム蒸発を用いてCs0.33WO3薄膜を作製した。作製した薄膜をX線回折、X線光電子分光法、分光光度法を併用して特性化した。近赤外遮蔽性能と薄膜微細構(gòu)造に対するアニーリングの影響を研究した。その結(jié)果、純粋なH 2雰囲気下で、300?450°Cでアニールすることで、Cs0.33WO3薄膜の近赤外遮蔽性能を改善し、非晶質(zhì)薄膜を結(jié)晶質(zhì)薄膜に転換することができることを表明した。純H 2雰囲気中で450℃でアニールしたCs0.33WO3薄膜は高い可視光透過率（70%）と高い近赤外遮蔽率（85%）を示した。
