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對所PANI-W03薄膜進行X射線光電子譜(XPS)分析,全譜如圖5.9所示,N1s和O1s峰及其分峰擬合結果如圖5.10所示。S-PANI薄膜的N1s峰可以分解為兩個部分,結合能為400.8eV的是+1價N原子的特征峰,結合能為399.5eV且半高寬較小的是不帶電荷的N原子。硫酸摻雜的PANI的N原子的兩個峰的面積比約為1>表明其具有最高的摻雜程度。而在PANI-W03-1和PANI-W03-2薄膜中,這個比例分別為1:2.1和1:1.03,表明PANI-Wq-2基本達到完全摻雜,而PAN1-W03-1的摻雜程度較低。各薄膜的Ois峰也可以分解成兩個部分:結合能較低的是W03薄膜的是與W相連的。原子,結合能較高的是一OH上的O原子。O1s峰的兩部分的面積比分別為1.30(W03薄膜),1.23(PANI-W03-1薄膜)和0.91(PANT-W03-2薄膜),說明在PANI-WO3薄膜中具有更多的-OH。這是由于WO3均勻分散在PANI中,導致了更多的界面的出現(xiàn),從而具有更多的-OH懸掛鍵。
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