輝鉬材料性能有望超過石墨烯
美國加州納米技術(shù)研究院(簡(jiǎn)稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬，二硫化鉬)制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個(gè)MoS2為基礎(chǔ)的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小，功耗極低。輝鉬材料性能有望超過石墨烯。
A股相關(guān)輝鉬概念股公司主要有：新華龍(603399.SH)、洛陽鉬業(yè)(603993.SH)、金鉬股份(SH601958. SH)、宏達(dá)股份(600331.SH)、萬好萬家(600576.SH)、銀鴿投資(600069.SH)、長征電氣(600112.SH)、廈門鎢業(yè)(600549.SH)、紫金礦業(yè)(601899.SH)、江西銅業(yè)(600362.SH)、中國鋁業(yè)(601600.SH)；深市上市公司有銅陵有色(000630.SZ)、富龍熱電(000426.SZ)等。
據(jù)英國《自然·納米技術(shù)》雜志就指出：?jiǎn)螌拥妮x鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的硅和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導(dǎo)體材料。
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