單層二硒化鎢憑借著獨特的物理化學性質(zhì)，廣泛應用于電子器件、光伏設(shè)備等領(lǐng)域中。然而，生產(chǎn)它卻十分困難，如常用的化學沉積（CVD）法存在氧化鎢和硒源難以蒸發(fā)的問題。為了解決上述的不足，有研究者對傳統(tǒng)的CVD方法進行了改進，具體步驟如下：
（1）選取兩片襯底，并采用標準RCA清洗工藝對其進行清洗，選取兩只石英舟分別作為鎢舟和硒舟；
（2）將1-100mg的NaCl溶于5mL去離子水中制成鹽溶液，將2-20μL的鹽溶液滴在第一片襯底前端，再在熱板上加熱至去離子水完全氣化；
（3）在第一片襯底中心盛放3-300mg的WO3后，將其置于鎢舟中，把第二片襯底蓋在WO3上方的1mm-10mm位置，再將鎢舟置于管式爐高溫區(qū)，隨后在硒舟中加入10-500mg的硒粉，并將硒舟置于管式爐低溫區(qū)；
（4）將高溫區(qū)升溫至100-150℃，使用100-1000sccm流量的氬氣吹掃反應腔體15分鐘到2小時；
（5）將氬氣流量調(diào)節(jié)至10sccm-200sccm，同時使高溫區(qū)迅速升溫至300-700℃；
（6）降低升溫速率，在高溫區(qū)溫度達到600-850℃時，對低溫區(qū)獨立加熱，使其中的Se融化并與WO3反應3-60分鐘；
（7）自然降溫，待溫度降至100℃以下，將樣品取出密封，即完成單層二硒化鎢單晶的制備。
該生產(chǎn)方法的優(yōu)勢在于：1）減少了反應條件，增加了系統(tǒng)的安全性，即不使用氫氣；2）使用NaCl的使用，消除了WO3原材料中毒反應的可能，同時采用移液槍精確控制NaCl加入量的方法；3）獨立控溫區(qū)的使用，能夠精確控制WSe2形核和生長過程。
