在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的當(dāng)下，每一次技術(shù)革新都如同在晶片製造的賽道上注入了一劑強(qiáng)心針。近日，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的巨頭泛林集團(tuán)Lam Research重磅宣佈，正式推出全球首型鉬原子層沉積設(shè)備ALTUS Halo，這一消息猶如一顆石子投入平靜湖面，在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪，該設(shè)備已成功應(yīng)用於邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域，展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。
鉬元素圖片
回顧半導(dǎo)體工藝的發(fā)展歷程，在晶片上金屬佈線元器件互聯(lián)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中，鎢（W）曾經(jīng)長(zhǎng)期佔(zhàn)據(jù)著主導(dǎo)地位。在過去相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間裡，鎢憑藉其極為出色的溝槽填充能力，在半導(dǎo)體製造工藝中扮演著舉足輕重的角色。當(dāng)晶片製造工藝還處?kù)遁^低制程階段時(shí)，對(duì)金屬佈線材料的要求更多集中在能否精準(zhǔn)、完整地填充微小溝槽，確保電路連接的穩(wěn)定性。而鎢在這方面表現(xiàn)堪稱卓越，其原子結(jié)構(gòu)特性使其能夠在複雜的晶片微結(jié)構(gòu)中，以高度有序的方式填充溝槽，為晶片內(nèi)部錯(cuò)綜複雜的電路搭建起可靠的物理連接橋樑，保障了電子信號(hào)在晶片內(nèi)部的順暢傳輸，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)早期的蓬勃發(fā)展立下了汗馬功勞。
然而，隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)朝著更加精密的方向不斷邁進(jìn)，摩爾定律持續(xù)推動(dòng)著晶片朝著更小尺寸、更高集成度發(fā)展。當(dāng)制程工藝進(jìn)入到納米級(jí)別的深亞微米時(shí)代，鎢電阻較高的劣勢(shì)逐漸浮出水面。在極其微小的晶片電路中，電阻的微小增加都會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸過程中的能量損耗顯著上升，進(jìn)而影響晶片的運(yùn)行速度和能效表現(xiàn)。例如，在高頻高速的晶片運(yùn)算場(chǎng)景下，較高的電阻會(huì)使得電子信號(hào)在金屬佈線中傳輸時(shí)產(chǎn)生延遲，降低了晶片整體的資料處理速度，並且過多的能量損耗還會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，給晶片的散熱系統(tǒng)帶來極大壓力，甚至可能引發(fā)晶片過熱故障，嚴(yán)重制約了晶片性能的進(jìn)一步提升。
就在這個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，鉬元素脫穎而出，成為了半導(dǎo)體佈線工藝的新寵。鉬在溝槽填充和電阻兩方面展現(xiàn)出了極為優(yōu)秀的綜合性能。從溝槽填充角度來看，鉬原子具備獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，使其能夠在先進(jìn)的原子層沉積工藝下，以精準(zhǔn)、均勻的方式填充到極細(xì)微的溝槽結(jié)構(gòu)中，滿足了現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝對(duì)高精度填充的嚴(yán)苛要求。同時(shí)，鉬的電阻相較於鎢明顯更低，這意味著在相同的電路條件下，電子信號(hào)通過鉬佈線時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)更快的傳送速率，極大地降低了信號(hào)延遲，顯著提升了晶片的資料處理效率。此外，較低的電阻還能有效減少能量損耗和發(fā)熱問題，為晶片在高性能運(yùn)行狀態(tài)下的穩(wěn)定性提供了有力保障，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破制程瓶頸、實(shí)現(xiàn)技術(shù)飛躍提供了新的可能。
晶片圖片
ALTUS Halo作為一款專門向半導(dǎo)體注入鉬的設(shè)備，無疑成為了這場(chǎng)半導(dǎo)體材料革新的核心“武器”。它巧妙地將泛林獨(dú)有的四站模組架構(gòu)與ALD（原子層沉積）技術(shù)的最新進(jìn)展完美融合。四站模組架構(gòu)為設(shè)備帶來了高效的生產(chǎn)流程，每個(gè)網(wǎng)站各司其職，從晶圓預(yù)處理、鉬原子沉積到後處理等環(huán)節(jié)緊密配合，極大地提高了生產(chǎn)效率，滿足了半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)的需求。而ALD技術(shù)的新進(jìn)展，則確保了鉬原子能夠以原子級(jí)別的精度逐層沉積在晶片表面，形成高品質(zhì)、低缺陷的鉬金屬層。這種工程化的低電阻率鉬沉積技術(shù)，正是當(dāng)下新興以及未來晶片變革的關(guān)鍵需求所在。無論是千層3D NAND，其需要在有限的空間內(nèi)構(gòu)建多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，對(duì)材料的填充和電學(xué)性能要求極高；還是4F2 DRAM，追求更高的存儲(chǔ)密度和更快的讀寫速度；亦或是先進(jìn)GAA邏輯電路，對(duì)電路的精準(zhǔn)控制和信號(hào)傳送速率有著嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，ALTUS Halo所提供的低電阻率鉬沉積都成為了實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)突破的重要支撐。
美光負(fù)責(zé)NAND開發(fā)的公司副總裁對(duì)這一技術(shù)變革給予了高度評(píng)價(jià)。他指出，鉬金屬化的集成使得美光在最新一代NAND產(chǎn)品中能夠率先推出業(yè)界領(lǐng)先的I/O頻寬和存儲(chǔ)容量。在如今資料爆炸的時(shí)代，存放裝置對(duì)資料傳輸速度和存儲(chǔ)容量的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。鉬金屬化的應(yīng)用，或讓美光的NAND產(chǎn)品在I/O頻寬方面實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，能夠更快地讀寫資料，大大提高了存放裝置與外部設(shè)備的資料交互效率。同時(shí)，在存儲(chǔ)容量上，借助鉬材料在先進(jìn)制程工藝下的優(yōu)勢(shì)，美光或得以在有限的晶片空間內(nèi)集成更多的存儲(chǔ)單元，顯著提升了存儲(chǔ)容量。
隨著ALTUS Halo設(shè)備的推出和鉬在半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正站在一個(gè)新的技術(shù)十字路口。未來，在鉬元素和先進(jìn)設(shè)備的雙重加持下，半導(dǎo)體晶片有可能在性能、功耗、集成度等方面實(shí)現(xiàn)更大的突破，為人工智慧、大資料、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展提供更強(qiáng)大的“心臟”，推動(dòng)整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。
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