二碲化鉬（MoTe2）是一種典型的過渡金屬硫族化合物，是一種新型的二維層狀半導(dǎo)體材料，具有較高的機(jī)械穩(wěn)定性、獨(dú)特的電子和光電特性，因而適合作為超級(jí)電容器的電極材料。MoTe2的生產(chǎn)方法有物理方法和化學(xué)方法，如機(jī)械剝離法和化學(xué)氣相沉積法等，其中化學(xué)氣相沉積法是目前公認(rèn)的最有前景的MoTe2制備方法，但是合成一維結(jié)構(gòu)的二碲化鉬納米線仍存在較大困難。
二碲化鉬粉末
專利號(hào)為CN109336069A的研究者提供一種工藝簡(jiǎn)單且原料容易獲得的MoTe2納米線生產(chǎn)方法，即以二氧化硅/硅片為襯底，鉬粉和碲粉為原料，在二氧化硅面采用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行二碲化鉬納米線的生長(zhǎng)。
在實(shí)操過程中的注意事項(xiàng)有：1）兩個(gè)二氧化硅/硅片襯底的二氧化硅面相對(duì)疊放，在疊放層間夾放鉬粉和碲粉，鉬粉和碲粉的摩爾比為1:1～20，總質(zhì)量為1mg～4mg；2）MoTe2納米線的生長(zhǎng)容器為石英管，石英管內(nèi)通入氬氣（流量為100sccm）和氫氣（流量為5～30sccm）的混合氣體；3）在石英管內(nèi)設(shè)置石英試管，石英試管的封口端與混合氣體流動(dòng)方向相對(duì)，在管式氣氛爐中加熱進(jìn)行 MoTe2納米線的化學(xué)氣相沉積；4）化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度為600～800℃。
鉬粉圖片
利用該方法生產(chǎn)的二碲化鉬納米線的尺寸較為均一和面積較大，生產(chǎn)成本較為合理，能有效解決機(jī)械剝離法的不足。研究表明，二碲化鉬的原子層之間的范德瓦爾斯力較大，不適合用機(jī)械剝離法進(jìn)行生產(chǎn)大面積的單層MoTe2薄膜。
