近期，東京都立大學的研究人員發(fā)現將鉬硫族化合物原子薄層堆疊成范德瓦爾斯異質結構，能有效控制熱量的傳輸，因而適合應用于電子設備中有助于相應產品散熱。值得注意的是，這里的鉬硫族化合物是指二硫化鉬（MoS2）和二硒化鉬（MoSe2）。
我們都知道，熱量無處不在，而且它時時刻刻在流動著，比如人體熱量、電磁爐熱量等。人體熱量能供身體維持生命、生長發(fā)育和運動；電磁爐熱量可以讓我們將飯菜煮熟。然而，幷不是所有的熱量都是有利的，如電子產品若過熱，就很容易發(fā)生故障或者爆炸的情況。電子設備過熱的主要原因是微芯片在執(zhí)行密集的計算任務時所產生的熱量遠超過它們能夠帶走的熱量，進而導致產品使用壽命嚴重縮短。
為了解決熱電設備的過熱問題，東京都立大學研究者一直在考慮用不同的方式來控制這種熱量，最后發(fā)現用獨特、溫和的方式堆疊起來的MoS2和MoSe2層堆能夠較好地控制熱量傳輸。因為二硫化鉬和二硒化鉬在堆疊時會產生異質結構，而且層與層之間存有弱耦合和不匹配的情況。
另外，斯坦福大學電氣工程研究者還表明將一層單原子石墨烯和其他二維材料（二硫化鉬，二硒化鉬和二硒化鎢）相結合的層堆能很好地吸收熱量，這樣也能有效防止電子產品因熱量過多的原因而發(fā)生故障或爆炸的問題。
