據(jù)悉，武漢理工大學(xué)麥立強教授團隊的原子級厚二硫化鉬（MoS2）的剝離方式獲突破，具體是用電化學(xué)剝離方法將MoS2塊剝離成原子級厚MoS2，進而使其在納米流體、受限電催化、量子器件、傳感器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。
當(dāng)前，原子級厚的過渡金屬二氯代物（TMDs）的生產(chǎn)方法主要有“自上而下”的剝離方法和“自下而上”的化學(xué)氣相生長。但是這兩種方法均存在一定的不足，主要表現(xiàn)在大規(guī)模的生產(chǎn)時間要特別長以及生產(chǎn)條件較為苛刻需要高溫，并且還會引入大量的晶體學(xué)缺陷。因此，原子級薄膜TMDs生產(chǎn)快速、簡單、高效率和高產(chǎn)量的制備方法仍然是一個重要的問題。
針對上述的不足，麥立強教授課題組提出了一種電化學(xué)剝離方法，其能直接將較大質(zhì)量的2D TMDs塊轉(zhuǎn)變?yōu)樵蛹壉《鹊?D TMDs，且具有剝離速度超快、原子級均勻薄層和高保留率（30-40%）的特點。與二硫化鉬塊（347毫伏）相比，原子級厚MoS2作為析氫反應(yīng)（HER）的電催化劑更有效，且顯示出更低的過電位（127毫伏）。
此外，使用10–8M若丹明6G（R6G）作為目標(biāo)分析物，剝離二氧化硅被證明能顯著提高使用表面增強拉曼光譜(SERS)的靈敏度增強因子（1.15×105）。研究還表明，均勻的雙層/三層二氧化硅層最終被保留并形成堆疊結(jié)構(gòu)。這種電化學(xué)剝離方法能在短時間內(nèi)產(chǎn)生原子級的二氧化硅薄膜，形成的均勻?qū)盈B的幾層2D薄膜顯示出巨大的應(yīng)用潛力。
為了研究單個TMD片的動態(tài)結(jié)構(gòu)演變，研究人員基于單個二硫化鉬片制作了片上電化學(xué)器件。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在較高電位區(qū)域(0.2–1.4Vvs SCE)進行循環(huán)伏安測試時，會捕捉到明顯的氧化還原轉(zhuǎn)變。在獲得這一電化學(xué)信號后，比較了等速測試前后二硫化鉬的光學(xué)圖像（圖2a，c），發(fā)現(xiàn)CV測試后的MoS2邊緣顯示出從黃色到綠色的顏色變化（圖2c）。圖2b顯示了初始二氧化硅的ΔV分布的情況。對于電化學(xué)處理后的MoS2，變色區(qū)域的Δν降低至≈22.5cm-1(圖2d)。
