二碲化鎢（WTe2）是具有層狀結(jié)構(gòu)的過渡金屬硫族化合物，具有良好的超導電性、熱電性能和巨磁阻效應，廣泛應用于在存儲器、電容器和傳感器等產(chǎn)品中。但是，目前所制備的WTe2產(chǎn)品基本上是二維結(jié)構(gòu)，很少有一維結(jié)構(gòu)的納米線。因此，專利號為CN109267036B的研究者提供了一種二碲化鎢納米線的生產(chǎn)方法，具體步驟如下：
CN109267036B/WTe2納米線的生產(chǎn)過程
（1）二氧化硅/硅襯底裁剪成1cm*3cm的片狀，鎢粉和碲粉按比例混勻為混合粉；（2）混合粉放置于一個二氧化硅/硅襯底的二氧化硅面上，并添加氯化鈉；另一片二氧化硅/硅襯底的二氧化硅面倒扣在放置有混合粉的二氧化硅/硅襯底上；（3）將兩個二氧化硅/硅襯底移放置在石英試管中，石英試管放置在石英管中，石英試管的封口端與混合氣體流動方向相對，在管式氣氛爐中加熱進行二碲化鎢納米線的化學氣相沉積。
CN109267036B/WTe2納米線
該生產(chǎn)方法的注意事項包括：1）石英管內(nèi)通入的混合氣體為氬氣和氫氣，氬氣的流量為100sccm；氫氣的流量為10～40sccm；2）石英試管用于放置進行化學氣相沉積的襯底，化學氣相沉積的反應溫度為600～800℃；3）鎢粉和碲粉的摩爾比為1:1～20，總質(zhì)量為1mg～4mg；4）在鎢粉和碲粉間摻雜NaCl，NaCl的摻雜量為0.1mg～0.5mg；5） WTe2納米線的生長時間為4～30min。
該生產(chǎn)技術(shù)的優(yōu)勢是：通過反應源的比例，反應溫度，反應時間等因素獲得了尺寸較為均一的二碲化鎢納米線材料，且工藝簡單，成本低廉。
