與二硫化鎢（WS2）一樣，二硒化鎢（WSe2）也是一種典型的低維度過(guò)渡金屬硫族化合物半導(dǎo)體材料，是一種層狀結(jié)構(gòu)的無(wú)機(jī)化合物，具有良好的物理、化學(xué)和電學(xué)等性能，廣泛應(yīng)用于儲(chǔ)能電池、潤(rùn)滑、半導(dǎo)體、光伏、航天、航空、軍事、國(guó)防等領(lǐng)域中。具體來(lái)說(shuō)，WSe2的主要用途如下：
1.作鋰硫電池正極材料
氮摻雜石墨烯插層的二硒化鎢超點(diǎn)陣材料適合作鋰硫電池正極的宿主材料，既能夠有效促進(jìn)鋰離子轉(zhuǎn)移，又能實(shí)現(xiàn)聚硫化合物的雙效吸附，進(jìn)而使所製備的電池的倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性更好。
2.作鋰電池負(fù)極材料
WSe2因有較大的層間距和較高的理論比容量的優(yōu)點(diǎn)，而被認(rèn)爲(wèi)是目前最有希望代替石墨負(fù)極的材料之一，能使所製備的電池的續(xù)航性能、倍率性能和使用壽命更高。
3.作潤(rùn)滑劑的添加劑
WSe2是一種低維度層狀結(jié)構(gòu)材料，每一個(gè)鎢原子都會(huì)和六個(gè)硒原子以三棱鏡的配位方式鍵結(jié)，而層與層之間是以范德華力相結(jié)合，所以具有較小的摩擦係數(shù)。
4.製作晶體管
WSe2和SnSe2（二硒化錫）製備出的2D/2D隧穿晶體管在低電壓下能實(shí)現(xiàn)比由相同2D半導(dǎo)體材料製成的標(biāo)準(zhǔn)晶體管的性能更好，效率比傳統(tǒng)晶體管更高。
5.製作光電極
WSe2具有較高的光吸收係數(shù)和能量轉(zhuǎn)換效率，因而適合製作光電極。其光電轉(zhuǎn)換效率比二氧化鈦（5%）的高，約爲(wèi)17%。
6.製作單光子發(fā)射器
WSe2是一種二維材料，其由于存在氧間隙，而形成局域激子態(tài)的單光子發(fā)射，因而適合開(kāi)發(fā)單光子發(fā)射器，提高其發(fā)射性能。
7.在超薄LED中的應(yīng)用
WSe2的帶隙爲(wèi)1.35eV，且具有良好的光學(xué)特性和物理化學(xué)穩(wěn)定性，所以適合應(yīng)用于超薄的LED中。
