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電沉積法製備三氧化鎢薄膜

三氧化鎢(WO3)薄膜是一種具有較高的透射率變化、可逆性好、相對(duì)價(jià)格低、壽命長(zhǎng)和無(wú)毒環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)的功能材料,它是最早被採(cǎi)用且應(yīng)用最廣泛的電致變色材料。這種電致變色材料的應(yīng)用就隱匿在我們?nèi)粘I钪?,如它可製造節(jié)約能源、調(diào)節(jié)光線和控制熱負(fù)荷的智慧窗。因此,有關(guān)研究人員為研究三氧化物薄膜的性能不斷改進(jìn)其製備方法,如用電沉積法製備WO3薄膜是近幾年的研究熱點(diǎn)。以下是關(guān)於電沉積法製備三氧化鎢薄膜的大致步驟。

三氧化鎢圖片

一、ITO 基底清洗

1.將1×4cm 的ITO(Indium Tin Oxides) 玻璃片分別隔離開(kāi)放入小的玻璃圓柱燒杯;
2.之後放置在大的玻璃杯中,分別使用丙酮、甲醇、和超純水中超聲清洗10 min,除去其表面的灰塵以及黏附的有機(jī)物;
3.清洗之後置於60 ℃中的烘箱中乾燥,之後使用歐姆表確定導(dǎo)電的一側(cè)使用導(dǎo)電銅膠帶連結(jié)便於其後連接電路。

電沉積法製備三氧化鎢薄膜圖片

二、電沉積製備三氧化鎢薄膜

1.電沉積三氧化鎢薄膜的溶液由鎢酸鈉和無(wú)機(jī)酸配置,首先將0.125 mol/L
的Na2WO4?2H2O 和1 mol/L 的HClO4 溶液配置好;
2.往20 mL 的0.125 mol/L 的Na2WO4?2H2O 溶液加入1.2 mL 的1mol/L 的HClO4,使溶液的pH 值調(diào)控到1.4;
3.之後加入70μL 的H2O2(30%)配置成電沉積溶液;
4.通過(guò)三電極體系,將已準(zhǔn)備好的ITO 基底連接工作電極,Pt 片作對(duì)電極,Ag/AgCl (3 mol/L KCl)作參比電極。在-0.7V 的電位下分別沉積400 s、600 s 和1000 s;
5.結(jié)束後使用乙醇沖洗並自然晾乾,根據(jù)電沉積的時(shí)間將所製備的薄膜分別命名為W400、W600和W1000。

電沉積法與其他方法相比,其設(shè)備較簡(jiǎn)單、可控性強(qiáng)、鍍膜比較均勻。

評(píng)論被關(guān)閉。

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