p型WSe2之所以能很好地成為光電極產(chǎn)氫的理想材料，是因為它具有以下3個優(yōu)勢：（1）帶隙窄，易於光電化學產(chǎn)氫；（2）具有較高的載流子遷移率；（3）光電轉(zhuǎn)換效率僅次於矽，但光穩(wěn)定性高於矽。據(jù)悉，目前提高二硒化鎢光電催化活性的方法主要使用負載，如鉑、釕一類的貴金屬及其相應複合物，由於負載材料價格昂貴且地球含量低，極大地限制該類材料在光電催化分解水方面的實際應用。針對上述的不足，下面將為大家介紹一種WSe2基複合納米片光電極的生產(chǎn)方法。其具體步驟如下：
一、合成WO3納米片光電極；
二、合成二硒化鎢納米片光電極：
2.1稱取四氯化硒，平鋪於瓷舟內(nèi)，瓷舟上方放置WO3納米片光電極，然後置於石英管內(nèi)，石英管的兩端用由錫紙包裹的石英塞子塞住，然後通氬氣，之後關閉氣體，煆燒；
2.2待冷卻至室溫，從石英管中取出步驟2.1中最終得到的產(chǎn)物，用蒸餾水和無水乙醇交替清洗，然後置於真空乾燥箱中烘乾，即可制得WSe2納米片光電極；
三、合成CdS-WSe2異質(zhì)結(jié)光電極：
3.1將步驟二制得的WSe2納米片光電極置於濃氨水中，加入然後置於水浴鍋中，在水浴條件下進行吸附，吸附完畢後，加入硫脲，水浴條件下沉積；
3.2反應結(jié)束後，用鑷子將步驟3.1得到的產(chǎn)物取出，用蒸餾水沖洗，然後置於真空乾燥箱中乾燥，即可獲得CdS-WSe2異質(zhì)結(jié)光電極；
四、合成In2S3-CdS-WSe2光電極
4.1將CdS-WSe2異質(zhì)結(jié)光電極置於19mL水中，依次加入冰醋酸和In2(SO4)3，然後置於水浴鍋中，在水浴條件下進行吸附，吸附完畢之後，加入硫代乙醯胺，水浴條件下沉積；
4.2反應結(jié)束後，用鑷子將步驟4.1最終得到的產(chǎn)物取出，用蒸餾水沖洗然後置於真空乾燥箱中烘乾，即可獲得In2S3-CdS-WSe2光電極；
五、合成Pt-In2S3-CdS-WSe2複合納米片光電極
5.1將Na2SO4溶于水，然後加入H2PtCl6.6H2O，不斷攪拌下稀釋，即可獲得含有H2PtCl6.6H2O的硫酸鈉溶液；
5.2取步驟5.1得到的H2PtCl6.6H2O的硫酸鈉溶液置於光電化學池中，採用三電極系統(tǒng)，以Pt為對電極，飽和甘汞為參比電極，以In2S3-CdS-WSe2光電極為工作電極，使用時間電流曲線法，設定電壓-0.1V，時間為600s，然後打開氙燈，點擊運行系統(tǒng)；
5.3反應結(jié)束後，用鑷子將步驟5.2最終得到的產(chǎn)物取出，用蒸餾水沖洗，然後置於乾燥箱中烘乾，即可得到Pt-In2S3-CdS-WSe2複合納米片光電極。
該生產(chǎn)方法的優(yōu)勢在於：原料來源豐富、路線簡單、重複性好、產(chǎn)品穩(wěn)定性高。
