以多孔硅為基底氧化鎢薄膜2/5

有序多孔硅和氧化鎢薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備流程：

多孔硅層制備：利用雙槽電化學(xué)腐蝕法在硅片表面腐蝕形成具有一定厚度的有序多孔硅(PS)層。本次制備所用硅片為2英寸n型(100)，電阻率0.01-0.02Ω•cm，腐蝕液由體積比為1:1:5的氫氟酸(40%)、無(wú)水乙醇和去離子水組成。采用ATTENPCR70電流源施加電流120mA•cm−2，腐蝕時(shí)間15min。硅片腐蝕前先要清洗，首先將硅片切割成尺寸為2.0mm×0.8mm的小樣片，在體積比3:1的濃硫酸(98%)和雙氧水(30%)混合液中浸泡40min，去除有機(jī)物雜質(zhì)，然后在20%的氫氟酸溶液中浸泡20min，去除氧化層，之后在丙酮里超聲清洗5min去除雜質(zhì)離子，最后在無(wú)水乙醇中超聲清洗5min。腐蝕完的多孔硅放在無(wú)水乙醇中備用。

氧化鎢薄膜制備：利用DPS-III型超高真空對(duì)靶直流磁控濺射鍍膜機(jī)在多孔硅表面反應(yīng)濺射沉積一定厚度的氧化鎢薄膜。靶材是99.95%的高純鎢靶，氬氧比45:5sccm，工作壓強(qiáng)1.0Pa，濺射功率100W，濺射時(shí)間分別為5min，10min，15min。鍍膜完畢后將樣品放在退火爐里進(jìn)行退火，升溫速度2℃/min，450◦C保溫4h，自然降溫。采用射頻磁控濺射為沉積鉑金屬膜點(diǎn)電極，靶材是純度99.99%的高純鉑靶，氬氣流量24sccm，工作壓強(qiáng)2.0Pa，濺射功率90W，濺射時(shí)間12min。