NUS研究出提高二硒化鎢光致發(fā)光效率方法

新加坡國立大學(xué)（NUS）領(lǐng)導(dǎo)的研究小組已經(jīng)開發(fā)出一種提高二維半導(dǎo)體二硒化鎢光致發(fā)光效率的方法，為先進(jìn)的光電子和光子器件等半導(dǎo)體的應(yīng)用鋪平了道路。研究團(tuán)隊(duì)由NUS理學(xué)院物理系A(chǔ)ndrew Wee教授帶領(lǐng)，將二硒化鎢添加到帶有溝槽的金基板上，提高納米材料的光致發(fā)光率達(dá)20000倍。這一技術(shù)突破為二硒化鎢這一新型半導(dǎo)體材料的先進(jìn)應(yīng)用創(chuàng)造了新機(jī)遇。

這項(xiàng)工作的關(guān)鍵是金電漿納米陣列模板的設(shè)計(jì)。在系統(tǒng)中，通過改變泵浦激光器的結(jié)構(gòu)間距，利用不同激光波長調(diào)諧共振達(dá)到匹配。實(shí)現(xiàn)以實(shí)現(xiàn)最佳的場約束光等離子體激元耦合。這是首次證明金電漿納米結(jié)構(gòu)能夠提高二硒化鎢光致發(fā)光效率的工作。

二硒化鎢是一種單分子厚的半導(dǎo)體，是一個(gè)新興的過渡金屬硫化物（TMDCs）材料，它能將實(shí)現(xiàn)光電互轉(zhuǎn)換，使他們成為光電器件如薄膜太陽能電池、光電探測器柔性邏輯電路和傳感器的有實(shí)力的潛在候選人。然而，其原子薄的結(jié)構(gòu)降低了其吸收光譜和光致發(fā)光性能，從而限制了其實(shí)際應(yīng)用。