愛思強推出5x200mm硅基氮化鎵生長設(shè)備AIX G5+
7月24 日，愛思強股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設(shè)備�；谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計劃，愛思強的研發(fā)實驗室開發(fā)了此技術(shù)并設(shè)計并制造了此產(chǎn)品，包括特別設(shè)計的反應器硬件和工藝。該產(chǎn)品現(xiàn)已作為AIX G5系列的一部分推出，因此所有現(xiàn)有的G5系統(tǒng)均可升級至這一新設(shè)備。
愛思強表示硅基氮化鎵技術(shù)是很多新興功率電子器件市場領(lǐng)域的首選技術(shù)，同時在未來低成本高性能的高亮度LED產(chǎn)品制造方面擁有良好的前景。芯片尺寸以及材料對于制造工藝的成本效益至關(guān)重要，因此過渡到200 mm的標準硅芯片，將以其獨特的成本優(yōu)勢成為未來發(fā)展的合理趨勢。
愛思強表示經(jīng)過了反復的數(shù)值模擬，從而設(shè)計出能夠與現(xiàn)有的AIX G5反應器平臺兼容，而且足以勝任5x200 mm工藝的獨特工藝性能的新基本部件。而最終實現(xiàn)的極其穩(wěn)定的工藝流程提供了較其他任何MOCVD平臺更為均勻的材料特性以及更高的設(shè)備良率，同時也擁有 5x200 mm的芯片生產(chǎn)能力。
愛思強的很多客戶特別指出，所有5x200 mm芯片具有完全旋轉(zhuǎn)對稱的均勻形狀、標準厚度的硅基襯底以及嚴格可控的芯片彎曲度，均完全符合他們所需的硅質(zhì)生產(chǎn)需要。
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