SOITEC與四聯(lián)共同研發(fā)氮化鎵晶片以提高LED生產(chǎn)效率
電子及能源產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)和制造商SOITEC與照明行業(yè)的材料、設(shè)備和系統(tǒng)供應(yīng)商重慶四聯(lián)光電科技有限公司就共同使用HVPE技術(shù)制造氮化鎵(GaN)達成了協(xié)議。GaN晶片模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
雙方的合作開發(fā)協(xié)議旨在使用四聯(lián)的藍寶石襯底和SOITEC獨特的HVPE技術(shù)來驗證GaN晶片模板生產(chǎn)的可行性并進行商業(yè)化生產(chǎn)，雙方計劃今年開始進行GaN晶片模板的樣片生產(chǎn)。
SOITEC表示他們正計劃使用驗證過的硅外延設(shè)備，在加入其開發(fā)的鎵氣體后，開發(fā)出一種高產(chǎn)能的HVPE設(shè)備，研發(fā)出一種具有快速生長特點的工藝，以降低成本。這種新的工藝使得GaN模板比使用MOVPE的方式更具有成本的優(yōu)勢。
同時，SOITEC表示HVPE技術(shù)的開發(fā)引入了一種新的商務(wù)模式，它能讓LED制造商節(jié)約高達60%的MOVPE產(chǎn)能。除此新的商務(wù)模型之外，利用Arizona 的菲尼克斯實驗室附屬機構(gòu)所獲得的在LED外延生長方面的經(jīng)驗，SOITEC也在尋找與四聯(lián)開展LED照明領(lǐng)域方面的合作。
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