作為過渡金屬N型半導(dǎo)體材料的代表，納米氧化鎢粉末不僅是新一代儲能電極材料的優(yōu)選添加劑，還是新型半導(dǎo)體儲存器的重點儲存介質(zhì)。半導(dǎo)體儲存器之所以選用鎢氧化物來作為儲存介質(zhì)，是因為該材料具有極為優(yōu)異的光電效應(yīng)，且在電場的作用下其電阻值能發(fā)生可逆轉(zhuǎn)變。
光電效應(yīng)是物理學(xué)中一個重要而神奇的現(xiàn)象。在高于某特定頻率的電磁波照射下，某些物質(zhì)內(nèi)部的電子吸收能量后逸出而形成電流，即光生電。鎢氧化物因光電效應(yīng)較為優(yōu)秀，而能使所制備的儲存器擁有更快的信息傳輸速度。另外，納米氧化鎢因有可逆的電阻值轉(zhuǎn)變能力而能使儲存器達(dá)到較好的存儲目的，且不易失性。
半導(dǎo)體存儲器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器。按功能的不同，其可以分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。
RAM包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的信息都會隨之丟失。DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
ROM主要用于BIOS存儲器。按制造工藝的不同，其可分為雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器；按存儲原理不同，其可分為靜態(tài)和動態(tài)兩種。
現(xiàn)今，為了彌補傳統(tǒng)半導(dǎo)體儲存器的不足，研究者建議使用納米氧化鎢材料來作為它的儲存介質(zhì)。
