偏鎢酸銨晶體是生產(chǎn)鎢產(chǎn)品的重要的中間化合物（或原材料），而鎢產(chǎn)品是重要的工業(yè)材料，其雜質(zhì)含量需要嚴(yán)格控制和準(zhǔn)確檢測(cè)。近年來(lái)對(duì)其純度要求越來(lái)越高，需分析雜質(zhì)元素種類越來(lái)越多。其中，對(duì)於偏鎢酸銨晶體中痕量鉍的測(cè)定可以採(cǎi)用共沉澱分離-氫化物發(fā)生-原子螢光光譜法實(shí)現(xiàn)。
共沉澱分離-HG-AFS測(cè)定APT晶體中鉍的分析方法是在考察鎢基體影響，研究採(cǎi)用共沉澱分離手段在鹼性條件下分離鎢基體並富集痕量鉍的實(shí)驗(yàn)條件，優(yōu)化選擇共沉澱劑的種類、濃度等條件，考察鎢殘留濃度的基礎(chǔ)上建立起來(lái)的。氫化物發(fā)生-原子螢光光譜法（HG-AFS）具有靈敏度高、選擇性好且基體干擾小的優(yōu)點(diǎn)。
更多內(nèi)容請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：
http://www.ammonium-metatungstate.com/big5/index.htm
