由新加坡國(guó)立大學(xué)(NUS)領(lǐng)導(dǎo)的研究小組已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種提高二維半導(dǎo)體二硒化鎢光致發(fā)光效率的方法,為先進(jìn)的光電子和光子器件等半導(dǎo)體的應(yīng)用鋪平了道路。
Wee教授闡述了新方法的意義,并說(shuō),“這項(xiàng)工作的關(guān)鍵是金電漿納米陣列模板的設(shè)計(jì)。在我們的系統(tǒng)中,可以通過(guò)改變泵浦激光器的結(jié)構(gòu)間距,利用不同激光波長(zhǎng)調(diào)諧共振達(dá)到匹配。這對(duì)實(shí)現(xiàn)以實(shí)現(xiàn)最佳的場(chǎng)約束光等離子體激元耦合至關(guān)重要!
NUS科學(xué)與工程研究生院(NGS)博士研究生、論文的第一作者王卓女士解釋說(shuō),“這是首次證明金電漿納米結(jié)構(gòu)能夠提高二硒化鎢光致發(fā)光效率的工作,我們必須設(shè)法實(shí)現(xiàn)這種納米材料的光吸收和發(fā)射效率空前提高!
二硒化鎢是一種單分子厚的半導(dǎo)體,是一個(gè)新興的過(guò)渡金屬硫化物(TMDCs)材料,它能將實(shí)現(xiàn)光電互轉(zhuǎn)換,使他們成為光電器件如薄膜太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器柔性邏輯電路和傳感器的有實(shí)力的潛在候選人。然而,其原子薄的結(jié)構(gòu)降低了其吸收光譜和光致發(fā)光性能,從而限制了其實(shí)際應(yīng)用。