可擴(kuò)展的CVD工藝制作的2-D二硒化鉬
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在水稻研究中， Ajayan和他的同事通過建立一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET ） ，在微電子工業(yè)常用的設(shè)備測(cè)試他們的原子薄層鉬硒醚的。 FET的測(cè)試中發(fā)現(xiàn)的二硒化鉬層的電子特性均較二硫化鉬的顯著更好;后者是已被更廣泛地研究，因?yàn)樗歉菀字圃祛愃频牟牧�。例如，�?chǎng)效應(yīng)管測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，賴斯的硒化鉬的電子遷移率比CVD生長(zhǎng)，二硫化鉬較高。
在固態(tài)物理，電子遷移率指的是如何快速電子通過在電場(chǎng)的存在下，金屬或半導(dǎo)體。具有高電子遷移率的材料通常是優(yōu)選的，以減少功率消耗和發(fā)熱的微電子器件。
“能夠使2 -D材料在受控的方式真的會(huì)讓我們自己的迷人特性的認(rèn)識(shí)和使用產(chǎn)生影響，說：”研究的共同作者埃米莉RINGE ，化學(xué)和材料科學(xué)和納米工程學(xué)助理教授賴斯。 “一個(gè)表征材料的結(jié)構(gòu)和功能，正如我們?cè)诒疚闹兴龅模褪沁@種進(jìn)步的關(guān)鍵。 ”
二硒化鉬和二硫化鉬每個(gè)屬于一類稱為過渡金屬二硫?qū)倩锊牧?SPAN lang=EN-US>; TMDCs被如此命名是因?yàn)樗鼈儼瑑蓚�(gè)元素，如鉬或鎢和“硫?qū)僭亍比缌�，硒或碲的過渡金屬。
TMDCs已吸引了來自材料科學(xué)家的濃厚興趣，因?yàn)樗麄冇邢嗨频氖�，吸引�?SPAN lang=EN-US>2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的純碳材料奇跡的原子結(jié)構(gòu)。石墨烯和類似的材料通常被稱為兩維，因?yàn)樗鼈兪侵挥幸粋�(gè)原子厚。石墨烯具有非凡的電子特性。舉例來說，其電子遷移率的數(shù)萬次高于TMDCs更大。
然而，二維TMDCs像鉬二硒化物已經(jīng)引起極大的興趣，因?yàn)樗鼈兊碾娮犹匦允腔パa(bǔ)的石墨烯。例如，純石墨烯沒有帶隙 - 一個(gè)實(shí)用的電子屬性，工程師可以利用，使場(chǎng)效應(yīng)管，很容易打開和關(guān)閉。與許多納米材料，科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)， TMDCs的物理性質(zhì)顯著變化時(shí)，該材料具有納米級(jí)的屬性。例如，二硒化鉬的板坯也就是即使是微米厚的具有“間接”的帶隙，而鉬二硒化物的一個(gè)兩維片具有“直接”帶隙。所不同的是用于電子重要的，因?yàn)橹苯訋恫牧峡梢员挥糜谥圃炜汕袚Q的晶體管和靈敏的光檢測(cè)器。
“一個(gè)在材料科學(xué)和納米工程學(xué)賴斯部的驅(qū)動(dòng)力是誰專注于合成和我們這些參與與表征人與人之間的發(fā)展緊密合作， ” RINGE ，誰加入了賴斯的教師在一月份說。 “我們希望這將是一系列新協(xié)議的開頭可靠地合成各種2 -D的材料。 ”克河西，所有南洋理工大學(xué)。
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