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據外媒報道,美國北卡州立大學的研究人員表示,他們開發(fā)出了制造高質量原子量級半導體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術,新技術能將現有半導體技術的規(guī)?s小到原子量級,包括激光器、發(fā)光二極管和計算機芯片等;而其所用材料硫化鉬成為關鍵。
據悉,研究人員研究的材料是硫化鉬,它是一種價格低廉的半導體材料,電子和光學特性與目前半導體工業(yè)界所用的材料相似。然而,硫化鉬又與其他半導體材料有所不同,因為它能以單原子分層生長形成單層薄膜,同時薄膜又不會失去原有的材料特性。
眾所周知,石墨烯在A股市場上不時掀起炒作狂潮,而石墨烯自身的發(fā)展,也早就不局限于概念的炒作。如今,分析人士表示,單層輝鉬材料有望取代現有的矽和熱門石墨烯,成為下一代半導體材料,其發(fā)展?jié)摿Σ蝗菪∮U。
此次氧化硫研究獲得突破后,半導體薄膜在納米電子器件中將更受歡迎;分析人士指出,A股市場中沾“鉬”概念,如洛陽鉬業(yè)、新華龍及金鉬股份將有望受到資金的青睞。
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