羅姆開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小的低VF SiC肖特基勢(shì)壘二極管
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部位于日本京都)面向太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小的正向電壓(VF＝1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide：碳化硅)肖特基勢(shì)壘二極管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，正向電壓降低了10％，非常有助于各種設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗。生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，從6月份開始出售樣品(樣品價(jià)格500日元/個(gè))并陸續(xù)量產(chǎn)。
近年來(lái)，在工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能電池、電動(dòng)車以及鐵路等電力電子技術(shù)領(lǐng)域，與Si元件相比，電力轉(zhuǎn)換時(shí)損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實(shí)際應(yīng)用備受期待。羅姆于2010年成功實(shí) 現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產(chǎn)等等，產(chǎn)品開發(fā)在行業(yè)中遙遙領(lǐng)先。
如今，SiC-SBD已經(jīng)逐漸在世界范圍內(nèi)廣泛量產(chǎn)，但形成通態(tài)損耗的正向電壓長(zhǎng)期維持在1.5V的狀態(tài)，市場(chǎng)上為了追求更低損耗，要求降低正向電壓。
通常，正向電壓降低反向漏電流就會(huì)增加，羅姆通過(guò)改善工藝和元件構(gòu)造，在確保極低漏電流的基礎(chǔ)上成功降低了正向電壓。特別是正向上升電壓較低，有望改善一般使用頻率較高的低負(fù)載狀態(tài)下的效率。
新系列首先從600V-10A的產(chǎn)品開始量產(chǎn)，今后將逐步擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。計(jì)劃在數(shù)月內(nèi)開始1200V產(chǎn)品的量產(chǎn)。
本產(chǎn)品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源管理等最新技術(shù)的專業(yè)展會(huì)“PCIM-ASIA 2012”上展出，歡迎屆時(shí)蒞臨參觀。
<特點(diǎn)>
高速開關(guān)，低VF，與傳統(tǒng)的Si產(chǎn)品相比，損耗顯著降低
不僅實(shí)現(xiàn)了只有SiC才能實(shí)現(xiàn)的高速開關(guān)，而且正向電壓更低，與傳統(tǒng)的Si材質(zhì)快速恢復(fù)二極管相比，損耗顯著降低。
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