東芝聯(lián)手普瑞光電研發(fā)出8英寸硅襯底LED
東芝與普瑞光電合作僅數(shù)月，已經(jīng)對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質(zhì)的GaN，所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V，電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。
合作中，東芝除了提供硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)支持外，還對普瑞光電進(jìn)行了股權(quán)投資，看好普瑞在固態(tài)照明領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。該項(xiàng)投資將進(jìn)一步促進(jìn)雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。
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