美開發(fā)出砷化銦二維半導(dǎo)體量子膜
來(lái)源：科技日?qǐng)?bào) 發(fā)布于：2011-11-16 11:54
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月14日?qǐng)?bào)道，美國(guó)加利福尼亞大學(xué)伯克利分校研究人員開發(fā)出一種全新的二維半導(dǎo)體，這是一種由砷化銦制造的“量子膜”，具有帶狀結(jié)構(gòu)，只需簡(jiǎn)單地減小尺寸就能從塊狀三維材料轉(zhuǎn)變?yōu)槎S材料。相關(guān)論文發(fā)表在近期出版的《納米快報(bào)》上。
當(dāng)半導(dǎo)體材料的尺寸小到納米級(jí)，它們?cè)陔妼W(xué)和光學(xué)方面的性質(zhì)就會(huì)發(fā)生極大改變，產(chǎn)生量子限制效應(yīng)，由此人們可以制造出被稱為量子膜的二維晶體管。量子膜約 為10納米或更少，其運(yùn)行基本上被限制在一個(gè)二維空間中。由于這種獨(dú)特的性質(zhì)，它們能在高度專業(yè)化的量子光學(xué)與電子應(yīng)用領(lǐng)域大展所長(zhǎng)。
目前二維半導(dǎo)體方面的研究大部分要用到石墨烯類的材料。加州大學(xué)伯克利分校的阿里·杰維帶領(lǐng)的研究小組通過(guò)另一種途徑制造出了砷化銦“量子膜”。而且新量子膜可以作為一種無(wú)需襯底的獨(dú)立材料，能和各種襯底結(jié)合，而以往其他同類材料只能用于一種襯底。
他們先在銻化鎵（GaSb）和銻化鋁鎵（AlGaSb）襯底上生長(zhǎng)出了砷化銦，將它置于頂層并設(shè)計(jì)成任何想要的樣子，然后將底層腐蝕掉，把剩下的砷化銦層移到任何需要的襯底上，制成了最終產(chǎn)品。
為了測(cè)試產(chǎn)品的效果，研究小組把不同厚度（5納米到50納米）的砷化銦量子膜轉(zhuǎn)印到透明襯底上，對(duì)其進(jìn)行光吸收實(shí)驗(yàn)，他們能直接觀察到量子化的亞帶，并繪 制出了每個(gè)亞帶的光學(xué)性質(zhì)。在測(cè)試它們的電學(xué)性質(zhì)過(guò)程中，研究小組還觀察到明顯的量子限制效應(yīng)，電子移動(dòng)與傳統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET）截然不同。
研究人員表示，該研究不僅給半導(dǎo)體家族增添了一種新材料，也有助于人們理解結(jié)構(gòu)限制性材料的原理，帶來(lái)更多的特殊材料，在二維物理基礎(chǔ)設(shè)備研究方面邁出了重要一步。
免責(zé)聲明：上文僅代表作者或發(fā)布者觀點(diǎn)，與本站無(wú)關(guān)。本站并無(wú)義務(wù)對(duì)其原創(chuàng)性及內(nèi)容加以證實(shí)。對(duì)本文全部或者部分內(nèi)容(文字或圖片)的真實(shí)性、完整性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者參考時(shí)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站制作、轉(zhuǎn)載、同意會(huì)員發(fā)布上述內(nèi)容僅出于傳遞更多信息之目的，但不表明本站認(rèn)可、同意或贊同其觀點(diǎn)。上述內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資決策之建議；投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。如對(duì)上述內(nèi)容有任何異議，請(qǐng)聯(lián)系相關(guān)作者或與本站站長(zhǎng)聯(lián)系，本站將盡可能協(xié)助處理有關(guān)事宜。謝謝訪問(wèn)與合作！ 中鎢在線采集制作。
|
